旧産技センター職員発明特許等の情報 旧産技センターID : 225

出願番号 2014-28804
公開番号 2015-154005
公開年月日 2015年8月24日
出願人 神奈川県
発明者 秋山 賢輔、松本 佳久、高橋 亮、長沼 康弘
発明の名称 鉄シリサイド半導体、鉄シリサイド半導体薄膜の製造方法、並びに発光素子及び受光素子
国際特許分類(IPC) H01L 21/363
H01L 21/365
C23C 16/42
C23C 14/06
C30B 29/10
C30B 23/08
C30B 25/14
C01B 33/06
H01L 31/10
H01L 33/34
概要 高効率で受発光可能なβ鉄シリサイド半導体薄膜を提供し、電流を流すことで発光可能なβ鉄シリサイド半導体及びその薄膜を容易に作製できる製造方法と、高効率の発光効率及び受光効率を有する発光素子及び受光素子を提供します。
備考