ドライエッチング装置

用途・特徴について

真空槽内に設けた並行平板型の電極に高周波を印加し、ガスをプラズマで分解し、イオンやラジカルを利用して薄膜などのドライエッチングを行う装置です。ポリシリコン薄膜、シリコン窒化膜、シリコン基板などのドライエッチングが可能です。

手数料または使用料NO.

この機器を使用した料金表の項目は以下の通りです。

メーカー

日本真空技術株式会社

仕様

プラズマエッチングモード/基板:4インチウェハ以下/基板温度:常用350℃/導入可能ガス:六フッ化硫黄(SF6)、酸素

導入年度

1987

 

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  • 担当:化学技術部 新エネルギーグループ
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