分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)

この装置について


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分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)は、多次元に渡る高速組成分析に特化した走査・透過型電子顕微鏡(S/TEM)システムです。
最先端のEDS と高いSTEM、TEM 分解能を備えており、ナノ領域での様々な研究・解析に最適です。

用途・特徴について

【用途】
● マクロからナノレベルの観察、元素分析
● 電子線回折を用いた結晶情報取得
● 電子線耐性が低いソフトマテリアルへの対応
● トモグラフィーシステムを用いた観察画像、元素マッピング画像の三次元化
 〈応用例〉
 ● ナノ微粒子の形態観察
 ● 樹脂と金属の複合材料のマクロ観察
 ● 多層薄膜の断面観察、元素分析
 ● 担持触媒粒子の三次元観察、元素分析

【特徴】
■ 高輝度ショットキーサーマル電界放射銃(X-FEG)
 小さな収束角と高い全ビーム電流が両立されており、電流値は通常のショットキー型電子銃と比較し5 倍に達します。
 これにより、高いS/N 比と像分解能が観察・元素分析にもたらされています。

■ Super-X 元素分析システム
 4 個のシリコンドリフト型検出器(SDD)がX 型に配置されたエネルギー分散型X 線分析装置(EDS)です。
 4 個で実効的な素子面積を増やすことで十分なX 線感度とスペクトルの高品質化が実現します。
 また、X 型の配置により、試料が傾斜した状態でもX 線感度が低下しにくい機構となっています。

■ 三次元トモグラフィーシステム
 TEM/STEM/EDS による二次元の観察・分析だけでなく、試料を断続的に傾斜させて得られる連続傾斜像及びその情報を元に画像を三次元的に再構築する機能です。
 二次元から三次元に進化した解析により、新たな物性、界面機能の可視化が実現できます。

ご利用方法

試験計測(依頼試験) , 技術開発受託(受託研究) で利用できます。

 *試験計測(依頼試験)の詳細についてはこちらをご確認ください。

 *技術開発受託(受託研究) の詳細についてはこちらをご確認ください。

手数料または使用料NO.

この機器を使用した料金表の項目は以下の通りです。

■ 料金表 (試験計測料金)

項目番号項目単位手数料(円)
K1740分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)観察 10万倍以下観察倍率10万倍以下 1視野につき17,600
K1741分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)観察 10万倍以下 1視野追加観察倍率10万倍以下 同条件1視野追加につき8,800
K1745分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)観察 10万倍を超えて50万倍以下観察倍率10万倍を超えて50万倍以下 1視野につき23,100
K1746分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)観察 10万倍を超えて50万倍以下 1視野追加観察倍率10万倍を超えて50万倍以下 同条件1視野追加につき13,200
K1750分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)観察 50万倍を超えて200万倍以下観察倍率50万倍を超えて200万倍以下 1視野につき31,900
K1751分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)観察 50万倍を超えて200万倍以下 1視野追加観察倍率50万倍を超えて200万倍以下 同条件1視野追加につき17,600
K1755分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)観察 200万倍を超えるもの観察倍率200万倍を超えるもの 1視野につき46,200
K1756分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)観察 200万倍を超えるもの 1視野追加観察倍率200万倍を超えるもの 同条件1視野追加につき27,500
K1760分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)観察 試料傾斜調整観察 試料傾斜調整 1条件につき12,100
K1770FE-TEM エネルギー分散型X線分析装置(EDS)面分析面分析 1視野5元素ごとに、または2時間につき102,300
K1410TEM試料調製 分散法 ふりかけ法ふりかけ法 1試料につき5,500
K1411TEM試料調製 分散法 懸濁法懸濁法 1試料につき11,000
K1425TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング (ジェントルミル)1試料1条件につき13,200
K1433TEM試料調製 樹脂包埋1試料につき13,200
K1432TEM試料調製 電子染色1試料につき26,400
K1620TEM試料調製 FIB-リフトアウト法1試料につき80,300
K1621TEM試料調製 FIB-リフトアウト法 条件追加1条件追加につき28,600
K1625TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき110,000
K1663TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン 試料作製のみ低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき(試料作製のみ)127,600
K1626TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン条件追加低加速ガリウムイオン仕上げ 1条件追加につき28,600
K1627TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 アルゴンイオンミリングアルゴンイオンミリング仕上げ  1試料につき124,300
K1666TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 アルゴンイオンミリング 試料作製のみアルゴンイオンミリング仕上げ  1試料につき(試料作製のみ)141,900
K1628TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 アルゴンイオンミリング条件追加アルゴンイオンミリング仕上げ  1条件追加につき28,600

メーカー

Thermo Scientific社

型番

Talos F200X

仕様

加速電圧:200kV(標準)、120kV、80kV
分解能:TEM 0.12nm(200kV)、STEM 0.16nm(200kV)
プローブ電流:1.5nm@1nm
TEMボトムマウントカメラ:4,096×4,096 CMOS
STEM検出器:BF、DF、HAADF(同時取得可)
EDS検出器:X型配置4SDD
分析対象元素:B~U

導入年度

2020

 

  • この装置に関連するお問い合わせ
  • 担当:川崎技術支援部 微細構造解析グループ
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