パワー半導体特性評価装置(半導体カーブトレーサ)

この装置について


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半導体カーブトレーサはダイオード、トランジスタなどの半導体の静特性を測定するための装置です。近年性能向上の著しいパワー半導体の特性を計測するため、3000V、1000Aの高電圧・大電流の測定が可能です。

用途・特徴について

EV(電気自動車)や太陽光発電・風力発電などの電力変換装置の性能向上のためには、高性能で信頼性の高いパワー半導体が必須です。このようなパワー半導体においては大電流のスイッチングを行うため自己発熱による温度上昇が伴います。したがってパワー半導体の特性を計測する場合には温度依存性も含めて計測する必要があります。
本装置はホットプレート上あるいは高温槽内で計測を行うことが可能な仕様となっており、またSiCなどのワイドバンドギャップ半導体のデバイスに対応するため250℃の高温での計測に対応しております。

ご利用方法

試験計測(依頼試験) , 技術開発受託(受託研究) で利用できます。

 *試験計測(依頼試験)の詳細についてはこちらをご確認ください。

 *技術開発受託(受託研究) の詳細についてはこちらをご確認ください。

手数料または使用料NO.

この機器を使用した料金表の項目は以下の通りです。

■ 料金表 (試験計測料金)

項目番号項目単位手数料(円)
E0768パワー半導体静特性試験1時間当たり6,600

メーカー

岩崎通信機株式会社

型番

CS-3300

導入年度

2020

 

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  • 担当:電子技術部 電子デバイスグループ
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