集束イオンビーム装置(FIB-SEM/EDS)


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細く絞ったGaイオンビームを照射することで試料にナノメートル精度で自由な形状の加工ができます。発生する二次電子やイオンで試料の表面状態を観察(SIM像観察:Scanning Ion Microscopy)できます。画像を確認しながら作業できるので、異物付着部や内部欠陥など特定の位置を迅速に加工することが可能です。
XVision 200TBはFIB-SEM-Arイオンの3つのビームが試料の同一位置に交差するトリプルビームシステムを採用しています。

特長
FIB加工を中断することなく断面をSEMでリアルタイムに高分解能観察を行うことができます。
Gaイオンビームと同一位置に交差する低加速Arイオンビームでダメージ層を除去し、高品位なTEM試料を作製することができます。
200mmウェーハや小片試料の特定箇所からのTEM試料作製が可能で、プロセス評価・故障解析に威力を発揮します。

用途
♣ 表面・断面観察
♣ 微細加工
♣ TEM試料作製
♣ SEM、SAMの断面観察試料加工など

FIB加工とSEM観察、EDS分析を同一チャンバー内で行えます。
高分解能FE-SEMとEDS分析装置を搭載しており、FIB加工を中断することなく、断面をSEMでリアルタイムに観察を行うことができます。さらにEDSによる局所分析を行うこともできます。

立会い観察分析も可能です。
♣ 撮影箇所や分析箇所を指定でき、欲しい情報が的確に得られます。
♣ データを受取るだけでは得られない多くの情報を得る事ができます。
♣ 画像データはその場でお渡しできます。

メーカー名

エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

型番

XVision 200TB

仕様

SEM分解能:3.0nm(5kV時)
検出器:二次電子検出器、反射電子検出器
推奨試料サイズ:最大200mm径
FIB分解能:4nm(30kV時)
EDS:NORAN System7(サーモフィッシャーサイエンティフィック製)
分析モード:点分析、線分析、面分析
分析対象元素:B~U
その他:アルゴンイオンガン搭載

ご利用方法

試験計測(依頼試験)機器使用技術開発受託(受託研究)で利用できます

料金について

■ 試験計測(依頼試験)料金

集束イオンビーム装置(FIB)

料金NO.項目単位料金担当部名
K1640集束イオンビーム装置(FIB)1時間以内33,880円川崎技術支援部
K1641集束イオンビーム装置(FIB) 追加追加1時間あたり28,820円川崎技術支援部
K1650FIBオプション カーボン膜デポジション10分あたり2,420円川崎技術支援部
K1670FIBオプション アルゴンイオンミリング30分あたり11,330円川崎技術支援部
K1680FIB付属のSEM1試料1視野観察につき20,680円川崎技術支援部
K1681FIB付属のSEM 視野追加同一試料において1視野追加観察につき4,620円川崎技術支援部
K1682FIB付属のSEM 条件追加同一試料において1条件追加につき4,620円川崎技術支援部
K1690FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 点分析点分析1視野1箇所につき17,050円川崎技術支援部
K1691FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 点分析追加点分析同一視野内で1箇所追加につき5,830円川崎技術支援部
K1694FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 線分析線分析1視野1箇所につき22,880円川崎技術支援部
K1695FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 線分析追加線分析同一視野内で1箇所追加につき8,910円川崎技術支援部
K1692FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 面分析面分析1視野につき34,650円川崎技術支援部
K1696FIB付属のSEMオプション EDS分析測定 各種データ処理各種データ処理1条件につき5,830円川崎技術支援部
K1672FIB-SEMによる 三次元再構築用連続断面画像の取得1測定につき113,740円川崎技術支援部
K1674FIB-SEMによる 三次元再構築用連続断面画像の取得  条件追加1条件追加につき12,100円川崎技術支援部

FIB-SEMによる 微小試験片の作製

料金NO.項目単位料金担当部名
K1730FIB-SEMによる 微小試験片の作製 標準標準的な作製(SEM観察含む)5本につき182,160円川崎技術支援部
K1732FIB-SEMによる 微小試験片の作製 複雑複雑な作製(SEM観察含む) 5本につき273,130円川崎技術支援部
K1735FIB-SEMによる 微小試験片の作製 条件追加1条件追加につき11,550円川崎技術支援部

※微小試験片の作製のみ、ナノインデンターの費用は別途発生します。

導入年度

平成19年度
  • この装置に関連するお問い合わせ
  • 担当:川崎技術支援部 微細構造解析グループ