パワー半導体特性評価装置（半導体カーブトレーサ）

半導体カーブトレーサはダイオード、トランジスタなどの半導体の静特性を測定するための装置です。近年性能向上の著しいパワー半導体の特性を計測するため、3000V、1000Aの高電圧・大電流の測定が可能です。

【用途・特徴】
EV（電気自動車）や太陽光発電・風力発電などの電力変換装置の性能向上のためには、高性能で信頼性の高いパワー半導体が必須です。このようなパワー半導体においては大電流のスイッチングを行うため自己発熱による温度上昇が伴います。したがってパワー半導体の特性を計測する場合には温度依存性も含めて計測する必要があります。
本装置はホットプレート上あるいは高温槽内で計測を行うことが可能な仕様となっており、またSiCなどのワイドバンドギャップ半導体のデバイスに対応するため250℃の高温での計測に対応しております。