光干渉式膜厚測定 1測定点増

項目 内容
項目番号 E1140
単位 1試料につき1測定点増すごとに
手数料 1,540円
担当部署 電子技術部 
分類 機械装置、電気・電子部品等の性能評価試験
内容 半導体プロセスにおける各種膜を光学式により非接触で膜厚測定します。
補足説明 測定範囲10nm~20μm(膜種による)/測定再現精度0.1nm:膜厚10nm~3μm,0.03%:膜厚3μm~20μm/測定時間:約1秒
該当する機器名 光干渉式膜厚測定装置
試験対象 SiO2(酸化シリコン)膜/Si3N4(窒化シリコン)膜/レジスト膜/ポリSi(ポリシリコン)膜/ポリイミド膜 など
備考 1試料1測定点につき/1試料につき1測定点増すごとに
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