貴金属ペーストを用いた半導体デバイスの製造方法

登録ID 216
出願番号 2010-228309
公開番号 2012-84633
公開年月日 2012年04月26日
出願人 神奈川県、田中貴金属工業株式会社
発明者 篠原 俊朗、 伊藤 健
発明の名称 貴金属ペーストを用いた半導体デバイスの製造方法
国際特許分類(IPC) h01L 21/52
概要 半導体素子と基板を簡便なプロセスで接合するための材料および接合法に関する特許です。接合層は高純度の貴金属から構成されるため、高温でも安定した接合を維持できます。
備考