ドライエッチング装置

お客様ご自身が使用して、試作・分析を行える機器は 『利用の仕方』欄にご利用OKがつけてあります。

ドライエッチング装置(Dry Etching)、プラズマエッチング(Plasma Etching)

 

項目 内容
機器名 ドライエッチング装置
利用の仕方 試験計測（依頼試験）等
使用料Ｎｏ
分類 生産加工機器
担当 電子技術部
仕様 プラズマエッチングモード／基板：4インチウェハ以下／基板温度：常用350℃／導入可能ガス：六フッ化硫黄(SF6)、酸素
用途 真空槽内に設けた並行平板型の電極に高周波を印加し、ガスをプラズマで分解し、イオンやラジカルを利用して薄膜などのドライエッチングを行う装置です。ポリシリコン薄膜、シリコン窒化膜、シリコン基板などのドライエッチングが可能です。
手数料Ｎｏ
／試験名
製造社名 日本真空技術株式会社（東日本アルバック(株)）
規格
導入年度 昭和62年度
  • 「使用料」とはご利用OKのついた機器をご使用いただいたときの料金です。ご利用OKのある機器でも、使用条件によって料金が変わる場合は空欄となっています。そのような機器の使用料は、お問い合わせ下さい。
  • 「手数料」とは当研究所職員がお客様のご依頼を受けて試験等を実施する場合の料金です。この他にオーダーメードでもお受けできます。
  • 「試験名」とは当機器を利用して行う試験等の名称で、クリックすると詳細説明がご覧になれます。