両面マスクアライナ（手動式マスクアライナ／紫外線露光装置）
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両面マスクアライナ（手動式マスクアライナ／紫外線露光装置）、フォトリソグラフィ
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 機器名 | 両面マスクアライナ（紫外線露光装置） |
| 使用料Ｎｏ | |
| 分類 | 生産加工機器 |
| 担当 | 電子技術部 |
| 仕様 | 光源： 350W/基板サイズ： 2cm角から6インチφ/マスクサイズ4,5,7インチ角/位置合せ精度： 表面 ±0.5um，裏面 ±1 um/光学系： 350～450nm対応、（i線、h線、g線）ブロードバンド/微細パターンの解像度： 最小線幅0.75um/露光モード： ハード（ソフト、バキューム）コンタクト露光、プロキシミティ露光 |
| 用途 | 半導体製造装置（半導体プロセス装置）/本装置は、フォトリソグラフィー技術を用いてサブミクロン状の微細パターンをサブミクロン・レベルの高い重ね合わせ精度で加工するための手動式両面紫外線露光装置です。フォトマスク（クロムマスク）のパターン転写。/ご利用の一例:MEMS（圧力センサー他）、マイクロ成型金型原盤、 LED照明用バックライト用金型原盤、マイクロ流体チップ作製/厚膜レジストによる高アスペクト比構造体/ナノインプリント加工、高精度張り合わせ（それぞれ専用ジグをご用意いただく必要があります）/薄膜パターニング用のレジスト加工 |
| 手数料Ｎｏ ／試験名 |
E1191/高精度リソグラフィ、E1192/高精度リソグラフィ 1枚増 |
| 製造社名 | ズース・マイクロテック(株）（SUSS MicroTec AG.） |
| 規格 | MA6-BSA |
| 導入年度 | 平成20年度 |
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