FE-TEM(電界放出型透過電子顕微鏡)によるLSI コンタクトホールの2方向観察

LSIに異常が確認され、断面観察よりコンタクトホール直下約50nmの箇所に微小欠陥を捉えることができました。また、同箇所の平面観察を行い、微小欠陥を定量化しました。
<使用機器> FE-TEM/EDS(電界放出型透過電子顕微鏡)
       FIB(集束イオンビーム装置)
       低エネルギーイオンミリング
<納  期> 担当職員にお問い合わせください。

<測定手順>
・FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
       ↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
       ↓
・TEMによる断面観察(微小欠陥の位置を確認)
       ↓
・FIBによる平面試料作製
       ↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
       ↓
・ TEMによる平面観察(確認)
       ↓
・低エネルギーイオンミリングによる微小欠陥の抽出(複数回)
       ↓
・ TEMによる平面観察

測定例

断面TEM観察
  •  
  • 図1
  • 図1



平面TEM観察
  •  
  • 図2
  • 図2

ご利用を希望される方へ

同様の事例については、 試験計測(依頼試験) でご利用いただけます。

参考料金は以下の通りです。

料金表 (試験計測料金)

項目番号項目単位手数料
K1625TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき110,000
K1425TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング (ジェントルミル)1試料1条件につき13,200
K1440電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)10万倍以下倍率 10万倍以下 1視野につき17,600
K1441電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)10万倍を超えて50万倍以下倍率 10万倍を超えて50万倍以下 1視野につき23,100
K1460電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)試料傾斜調整試料傾斜調整 1条件ごとに12,100

観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。ご要望に応じて見積書を作成いたします。

詳細はお問い合わせください。
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  • 担当:川崎技術支援部 
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