FE-TEM（電界放出型透過電子顕微鏡）によるLSI コンタクトホールの2方向観察

LSIに異常が確認され、断面観察よりコンタクトホール直下約50nmの箇所に微小欠陥を捉えることができました。また、同箇所の平面観察を行い、微小欠陥を定量化しました。
＜使用機器＞　FE-TEM/EDS（電界放出型透過電子顕微鏡）
　　　　　　　FIB（集束イオンビーム装置）
　　　　　　　低エネルギーイオンミリング
＜納　　期＞　担当職員にお問い合わせください。

＜測定手順＞
・FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
　　　　　　　↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
　　　　　　　↓
・TEMによる断面観察（微小欠陥の位置を確認）
　　　　　　　↓
・FIBによる平面試料作製
　　　　　　　↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
　　　　　　　↓
・ TEMによる平面観察（確認）
　　　　　　　↓
・低エネルギーイオンミリングによる微小欠陥の抽出（複数回）
　　　　　　　↓
・ TEMによる平面観察

断面TEM観察

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• 図1

平面TEM観察

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• 図2

同様の事例については、 試験計測（依頼試験） でご利用いただけます。

参考料金は以下の通りです。

料金表 (試験計測料金)

項目番号	項目	単位	手数料
K1625	TEM試料調製　FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン	低加速ガリウムイオン仕上げ　１試料につき	110,000
K1425	TEM試料調製　低エネルギーイオンミリング　（ジェントルミル）	１試料１条件につき	13,200
K1440	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）10万倍以下	倍率　10万倍以下　１視野につき	17,600
K1441	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）10万倍を超えて50万倍以下	倍率　10万倍を超えて50万倍以下　１視野につき	23,100
K1460	電界放出型分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）試料傾斜調整	試料傾斜調整　１条件ごとに	12,100

観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。ご要望に応じて見積書を作成いたします。

詳細はお問い合わせください。