FE-TEM(電界放出型透過電子顕微鏡)によるLSI コンタクトホールの2方向観察
LSIに異常が確認され、断面観察よりコンタクトホール直下約50nmの箇所に微小欠陥を捉えることができました。また、同箇所の平面観察を行い、微小欠陥を定量化しました。
<使用機器> FE-TEM/EDS(電界放出型透過電子顕微鏡)
FIB(集束イオンビーム装置)
低エネルギーイオンミリング
<納 期> 担当職員にお問い合わせください。
<測定手順>
・FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・TEMによる断面観察(微小欠陥の位置を確認)
↓
・FIBによる平面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・ TEMによる平面観察(確認)
↓
・低エネルギーイオンミリングによる微小欠陥の抽出(複数回)
↓
・ TEMによる平面観察
測定例
断面TEM観察
平面TEM観察
- 図1
平面TEM観察
- 図2
ご利用を希望される方へ
同様の事例については、 試験計測(依頼試験) でご利用いただけます。
参考料金は以下の通りです。
料金表 (試験計測料金)
項目番号 | 項目 | 単位 | 手数料 |
---|---|---|---|
K1625 | TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン | "低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき" | 110,000 |
K1425 | TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング (ジェントルミル) | 1試料1条件につき | 13,200 |
K1440 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)10万倍以下 | 倍率 10万倍以下 1視野につき | 17,600 |
K1441 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)10万倍を超えて50万倍以下 | 倍率 10万倍を超えて50万倍以下 1視野につき | 23,100 |
K1460 | 電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)試料傾斜調整 | 試料傾斜調整 1条件ごとに | 12,100 |
観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。ご要望に応じて見積書を作成いたします。
詳細はお問い合わせください。- この分析事例に関連するお問い合わせ
- 担当:川崎技術支援部
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