LSI コンタクトホールの2方向観察
事例
LSIコンタクトホール異常部を断面・平面の2方向
から透過電子顕微鏡で観察することで、異常の
原因を明らかにしたい。
使用機器
高分解能分析走査電子顕微鏡(FE-SEM)
集束イオンビーム装置(FIB-SEM)
低エネルギーイオンミリング(ジェントルミル)
測定手順
・FIBによる断面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・TEMによる断面観察
↓
・FIBによる平面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・ TEMによる平面観察(確認)
↓
・低エネルギーイオンミリングによる欠陥部の抽出(複数回)
↓
・ TEMによる平面観察
測定例
断面TEM観察
作製方法:FIB-マイクロプロービング法
作製装置:集束イオンビーム装置
XVision200TB (エスアイアイ・ナノテクノロジーズ)
最終加工:低エネルギーイオン研磨装置
GENTLE MILL IV5 (リンダ社)
観察装置:電界放射型透過電子顕微鏡
EM002BF (トプコンテクノハウス)
平面TEM観察
納期予定
要相談。
利用料金項目
項目 | 単位 | 数量 |
---|---|---|
試料調製 FIB-マイクロプロービング法 |
1試料つき | 2 |
低エネルギーイオンミリング (ジェントルミル) |
1試料1条件につき | 8 |
分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 倍率 50万倍以下 |
1視野つき | 4 |
試料傾斜調整 | 1条件につき | 2 |
川崎技術支援部
TEL:044-819-2105 FAX:044-819-2108
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