ＬＳＩ コンタクトホールの2方向観察

事例

LSIコンタクトホール異常部を断面・平面の2方向
から透過電子顕微鏡で観察することで、異常の
原因を明らかにしたい。

使用機器

高分解能分析走査電子顕微鏡（FE-SEM）
集束イオンビーム装置（FIB-SEM）
低エネルギーイオンミリング（ジェントルミル）

測定手順

・FIBによる断面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・TEMによる断面観察
↓
・FIBによる平面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・ TEMによる平面観察（確認）
↓
・低エネルギーイオンミリングによる欠陥部の抽出（複数回）
↓
・ TEMによる平面観察

断面ＴＥＭ観察

作製方法：FIB-マイクロプロービング法
作製装置：集束イオンビーム装置
　　　　　　　XVision200TB　（ｴｽｱｲｱｲ・ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰｽﾞ）
最終加工：低エネルギーイオン研磨装置
　　　　　　　GENTLE MILL IV5　（リンダ社）
観察装置：電界放射型透過電子顕微鏡
　　　　　　　EM002BF　（ﾄﾌﾟｺﾝﾃｸﾉﾊｳｽ）