LSIコンタクトホールのTEMマッピング
事例
LSIコンタクトホールの断面を観察したい。加えて同箇所においてEDSによる面分析も行いたい。
使用機器
高分解能分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)
集束イオンビーム装置(FIB-SEM)
低エネルギーイオンミリング(ジェントルミル)
測定例
納期予定
要相談。
利用料金項目
項目 | 単位 | 数量 |
---|---|---|
試料調製 FIB-マイクロプロービング法 |
1試料つき | 1 |
分析透過電子顕微鏡(FE-TEM) 倍率 50万倍以下 |
1視野つき | 1 |
エネルギー分散型X線分析装置 面分析 |
1視野5元素ごとに、または2時間につき | 1 |
川崎技術支援部
TEL:044-819-2105 FAX:044-819-2108
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