ＬＳＩコンタクトホールのＴＥＭマッピング

事例

ＬＳＩコンタクトホールの断面を観察したい。 加えて同箇所においてＥＤＳによる面分析も行いたい。

使用機器

高分解能分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）
集束イオンビーム装置（FIB-SEM）
低エネルギーイオンミリング（ジェントルミル）

測定例

断面ＴＥＭ観察

納期予定

要相談。

利用料金項目

項目 単位 数量
試料調製
　ＦＩＢ-マイクロプロービング法		 1試料つき 1
分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）
　倍率　50万倍以下 		1視野つき 1
エネルギー分散型Ｘ線分析装置
　面分析 		1視野5元素ごとに、または2時間につき 1
川崎技術支援部
ＴＥＬ：044-819-2105 ＦＡＸ：044-819-2108

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