FE-TEM(電界放出型透過電子顕微鏡)によるLSIコンタクトホールの元素マッピング

LSIコンタクトホールの断面を観察を行い、同箇所においてTEM/EDSによる面分析(元素マップ)を行いました。

<使用機器> FE-TEM/EDS(電界放出型透過電子顕微鏡)
       FIB(集束イオンビーム装置)
       低エネルギーイオンミリング
<作業工程> FIB-マイクロプロービング法による試料作製  →  低エネルギーイオンミリング  →  STEM-EDS面分析
<納  期> 担当職員にお問い合わせください。

測定例

STEM-EDSの定量マップの分析例です。
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ケイ素やタングステンなど特性X線の近い元素は従来のピークカウントマップでは正しい元素分布を得ることができません。
最新のソフトウェアを用いた定量マップを行なうことでサンプル本来の詳細な元素分布を得ることができます。
(分割数:256×192、Dwell time 50usec、測定時間:40min、重量マップ)

ご利用を希望される方へ

同様の事例については、 試験計測(依頼試験) でご利用いただけます。

参考料金は以下の通りです。

料金表 (試験計測料金)

項目番号項目単位手数料
K1625TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき110,000
K1425TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング (ジェントルミル)1試料1条件につき13,200
K1441電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)10万倍を超えて50万倍以下倍率 10万倍を超えて50万倍以下 1視野につき23,100
K1460電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)試料傾斜調整試料傾斜調整 1条件ごとに12,100
K1530電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS) 面分析面分析 1視野5元素ごとに、 または2時間につき102,300

観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。ご要望に応じて見積書を作成いたします。

詳細はお問い合わせください。

参考・関連リンク

今回のFE-TEM(電界放出型透過電子顕微鏡)によるLSIコンタクトホールの元素マッピングの事例については、以下の関連ページもご参照ください。 【★動画でご紹介!】透過電子顕微鏡(YouTube公式チャンネル)
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