概要

経済産業省平成25年度補正予算事業「地域オープンイノベーション促進事業」（関東地域）にて
航空機産業向け支援サービスを実施するため、本装置を導入しました。

【電子線描画装置とは】

電子線に反応する物質（電子線レジストパターン）に、細く絞った電子線を筆のように扱って任意のパターンを描くことを電子線リソグラフィー技術といいます。電子線リソグラフィー技術を用いて、本装置はミクロンサイズからナノサイズの電子線レジストパターンを形成できます。更に，専用の帯電防止剤（エスペイサー）を塗布することで、絶縁基板上に電子線レジストパターンを形成できます。
ミクロンサイズでは、フォトリソグラフィ用マスクの作製ができます。また、ナノサイズでは、1mm角と広い描画フィールドにおいて200nm周期のレジストパターンを高速に描画できます。

【事例・特徴】

航空機の操縦システムを電子化するフライ・バイ・ワイヤ（Fly-by-Wire, FBW）では、センサと半導体が不可欠であり、電子線描画装置を用いて、センサと半導体をはじめ、光学デバイスや通信デバイスなど幅広い分野に関する微細加工の研究開発が活発に行われています。

また、カメラレンズなどのハレーション防止や太陽電池の発電効率の向上等で要求される100nm以下のパターンを持つ光学素子等やナノインプリト用の金型の作製、ナノパターンを用いたSAWデバイス、無反射構造体などの開発に活用できます。

当研究所で蓄積してきた微細加工技術に加え、本装置を活用することにより、研究開発型企業の航空宇宙産業をはじめとする新たな技術開発への参入を支援します。
（ ナノメートル(nm)は1/1,000,000 mm。マイクロメートル(µm)は1/1,000 mm。）

機器情報

メーカー名	株式会社エリオニクス
型番	ELS-S50
仕様	ウエハー　Φ3、Φ4インチ に対応 小片サンプル 10mm角、20mm角、 　　　　　　 25mm角 に対応 クロムマスク　4、5インチ角　に対応 ただし、最大描画領域は90×62mm 最小描画線幅10nm つなぎ精度100nm 最大加速電圧 50KV ※専用の帯電防止剤（エスペイサー）を使用することにより絶縁体基板上への直接描画も可能
導入年度	平成25年度

本装置を用いた研究事例として以下があります

1）Manabu Yasui, Yoshitake Nishi, Masahito Kurouchi, Satoru Kaneko and Masahiko Mitsuhashi, ”Room temperature nanoimprint aided by electron beam irradiation for polysilsesquioxane，”  Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 63, 10SP04 (2024).　https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad7963　（http以降をコピーしてURLに貼り付けることで関係ページにアクセスできます）

和文タイトル：電子線照射を援用したポリシルセスキオキサンに対する室温ナノインプリント

2）HSQ を用いた試作用ナノ金型の検討　（弊所　研究報告2021より）

 

ご利用方法

依頼試験（KISTEC事業名：試験計測）、委託受託（KISTEC事業名：技術開発受託）で利用できます。