2025年8月20日
熱抵抗測定
熱過渡解析によるパワーデバイスの熱抵抗測定を行います。構造関数を算出してデバイスの放熱特性や放熱経路の欠陥を調べることができます。
汎用の計測器を組み合わせた測定システムとなります。
測定するサンプルの温度特性（K-factor ）が必要となります。
装置仕様
| 最大電流 | 500A |
| 最大電圧 | 10V |
| サンプリング速度 | 250kSa/sec |
| ジャンクション温度の計測 | OFF時の冷却温度プロファイルから外挿して算出 |
| 冷却機構 | 水冷／空冷（自然空冷） |
| 冷却水温度 | 5～85℃ |
| 測定方法 | JEDEC JESD51-14に準拠 |
| 加熱方式 | 定電流、定電力 |
測定画面
図1はテストサンプル（TOパッケージのダイオード）についてON/OFF時間：300sec/300sec、加熱電力50Wの条件で測定を行った際の計測ソフトウェアの画面です。赤いプロットはサンプル裏面に取り付けた熱電対の温度を、黄色いプロットはサンプルに印加している電流を、青いプロットはサンプルに印加している電圧を見ています。
緑のプロットはスイッチング用IGBTのゲート電圧を２分の１に分圧した値を見ています。この値を見て加熱電流遮断時のタイミングを計測しています。
図2は計測結果から構造関数を算出するソフトウェアの画面を見ています。青黄赤のプロットはそれぞれ加熱電力30W、50W、80W、に対応した計測結果から算出した構造関数となります。図の中に示している矢印は熱の流れが悪くなっている場所を示しています。左側はデバイス内部の半導体チップのダイボンディング部に相当し、中央部はサンプル取り付けに使用したTIM（Thermal Interface Material）材に相当しています。加熱電流が大きくなると熱抵抗が上昇していることが分かります。これは各実装材料の熱伝導率が温度が上昇すると低下するため、加熱電流が大きくなり温度が上昇すると熱抵抗も上昇していると考えられます。
料金
| NO. | 項目 | 単位 | 料金 |
|---|---|---|---|
| E160728-01 | 熱抵抗測定 | １時間当たり | 9,350円 |
