半導体カーブトレーサを用いて、パワー半導体（IGBT、パワーMOSFETなど）の静的な電気特性を測定します。
高電圧（3000V）・大電流（1000A）に対応しています。
パワーサイクル試験などの耐久性試験の前後で測定を行い、パワーデバイスの劣化を電気特性から評価することが可能です。
高温（～300℃）での測定も可能です。

測定例

以下にSiCダイオードの電気特性を測定した例を示します。

図1では、温度が上昇すると低い電圧から電流が流れ始めますが、電流の大きい領域では抵抗成分が大きくなるため高い電圧を必要とすことが分かります。

図2では、逆方向の電気特性を見ていますが、温度上昇によって漏れ電流が大きくなることが分かります。

使用機器

料金

NO.	項目	単位	料金
E160749-01	パワー半導体静特性試験	１時間当たり	7,370円

担当部署

電子技術部　電子デバイスグループ