MOCVD法で作製したβ-FeSi2薄膜の結晶粒観察事例

単結晶基板上にMOCVD法で作製したβ-FeSi2膜の結晶性、結晶サイズ、膜厚を断面方向からの観察で明らかにしました。

<使用機器>

分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)
集束イオンビーム装置(FIB)
低エネルギーイオンミリング装置(Gentle Mill)

<作業工程>

試料作製(FIB-マイクロサンプリング法)  →  低エネルギーイオンミリング  →  TEM観察

<納期>

担当職員にお問い合わせください。

<測定例>

図1 β-FeSi2薄膜の明視野像
図1 β-FeSi2薄膜の明視野像
図2 図4のaの規則格子反射を用いた暗視野像 
図2 図4のaの規則格子反射を用いた暗視野像 
図3 図4のbの規則格子反射を用いた暗視野像 
図3 図4のbの規則格子反射を用いた暗視野像 
図4 電子線回折像[110]入射 
図4 電子線回折像[110]入射 

ご利用を希望される方へ

今回のような結晶粒観察を実施した場合は、下記料金表が適用されます。
観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。
ご要望に応じて見積書を作成いたします。

試験計測料金

料金NO.項目単位料金
K1625TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき111,980円
K1425TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング (ジェントルミル)1試料1条件につき13,530円
K1472電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)明視野像明視野像 1視野につき17,710円
K1473電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)暗視野像暗視野像 1視野につき32,230円
K1470電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)制限視野回折制限視野回折 1視野につき15,730円