LSIコンタクトホールの２方向観察事例

LSIに異常が確認され、断面観察よりコンタクトホール直下約50nmの箇所に微小欠陥を捉えることができました。また、同箇所の平面観察を行い、微小欠陥を定量化しました。

<使用機器>
分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）
集束イオンビーム装置（FIB）
低エネルギーイオンミリング装置（Gentle Mill）

<測定手順>
・FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
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・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
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・TEMによる断面観察（微小欠陥の位置を確認）
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・FIBによる平面試料作製
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・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
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・ TEMによる平面観察（確認）
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・低エネルギーイオンミリングによる微小欠陥の抽出（複数回）
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・ TEMによる平面観察