LSIコンタクトホールのTEMマッピング事例

LSIコンタクトホールの断面を観察を行い、同箇所においてTEM/EDSによる面分析(元素マップ)を行いました。

<使用機器>
分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)
集束イオンビーム装置(FIB)
低エネルギーイオンミリング装置(Gentle Mill)

<作業工程>
FIB-マイクロプロービング法による試料作製  →  低エネルギーイオンミリング  →  STEM-EDS面分析

<納期>
担当職員にお問い合わせください。

<測定例>

LSIコンタクトホールのTEMマッピング事例

ご利用を希望される方へ

今回のようなFE-TEM(分析透過電子顕微鏡)による元素マッピングを実施した場合は、下記料金表が適用されます。
観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。
ご要望に応じて見積書を作成いたします。

試験計測料金

料金NO.項目単位料金
K1625TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン低加速ガリウムイオン仕上げ 1試料につき111,980円
K1425TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング (ジェントルミル)1試料1条件につき13,530円
K1440電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)10万倍以下倍率 10万倍以下 1視野につき17,710円
K1445電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)10万倍以下 1視野増倍率 10万倍以下 1視野増すごとに8,800円
K1441電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)10万倍を超えて50万倍以下倍率 10万倍を超えて50万倍以下 1視野につき23,430円
K1446電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)10万倍を超えて50万倍以下 1視野増倍率 10万倍を超えて50万倍以下 1視野増すごとに13,310円
K1450電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)50万倍を超えて200万倍以下倍率  50万倍を超えて200万倍以下 1視野につき32,340円
K1455電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)50万倍を超えて200万倍以下 1視野増倍率  50万倍を超えて200万倍以下 1視野増すごとに17,710円
K1451電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)200万倍を超えるもの倍率 200万倍を超えるもの 1視野につき46,860円
K1456電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)200万倍を超えるもの 1視野増倍率 200万倍を超えるもの 1視野増すごとに27,830円
K1460電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)試料傾斜調整試料傾斜調整 1条件ごとに12,210円
K1530電界放出型分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS) 面分析面分析 1視野5元素ごとに、 または2時間につき104,170円