LSIコンタクトホールのTEMマッピング事例

LSIコンタクトホールの断面を観察を行い、同箇所においてTEM/EDSによる面分析(元素マップ)を行いました。

<使用機器>
分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)
集束イオンビーム装置(FIB)
低エネルギーイオンミリング装置(Gentle Mill)

<作業工程>
FIB-マイクロプロービング法による試料作製  →  低エネルギーイオンミリング  →  STEM-EDS面分析

<納期>
担当職員にお問い合わせください。

<測定例>

LSIコンタクトホールのTEMマッピング事例