ビーム照射による機能性薄膜の 加工技術の研究
●研究期間:平成29 年4 月~平成32 年3 月
●実施場所:海老名本部
●研究担当:電子技術部 電子材料グループ
研究概要
機能性薄膜は、素子構造作製などを目的として微細加工が行われています。極微細パターンの形成に用いられる電子線リソグラフィには描画パターンの大きさなどにより形成されるパターンサイズとのずれが生じる近接効果の影響により描画条件を予想するのが難しいという課題があります。そこで、単純なパターンを対象とした簡便な近接効果補正の手法について検討しました。 ポジ型の電子線レジストをシリコン基板上に塗布して、周期100nm のラインアンドスペースパターンの形成を行いました。描画条件として、ドーズ量と、描画領域幅/ 非描画領域幅の比率を変えて検討を行いました。 |
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図1 作製した周期100nm の電子線レジスト |
図2 描画条件(ドーズ量x、描画領域幅y)と |