微細加工・MEMS開発を支援する機器設備と開発事例

薄膜作製を中心に各種加工やセンサー等の開発をお手伝いします

(株)エリオニクス　ELS-S50
加速電圧 50KV
最小描画線幅10nm
つなぎ精度100nm
マスク5in、Φ4in
最大描画領域は90×62mm

SUSS Microdot　MA6-BSA
基板サイズ： 2cm ～ 6inφ
マスクサイズ 4,5,7in
位置合せ精度：表面 ±0.5um　裏面 ±1 um
解像度：最小線幅 0.75um

ドラフト（酸・アルカリ、レジストコート・現像、異方性エッチ、ＲＣＡ洗浄、レジスト剥離）

リンサードライヤー

間仕切りスペース

超純水蛇口供給

イオン化やプラズマ化して金属薄膜や合金薄膜、反応性成膜（酸化膜、窒化膜等）を作製

（株）昭和真空　SIP-700(特)型３元電子銃（10kW）
パルスアーク蒸着
バイアス電圧：DC/パルス(3kV)、RF(500W)
基板温度：～600℃

(株)ダイヘン　ESQF-20L
マイクロ波出力；1KW
RFバイアス；100W
基板加熱温度400℃
ガス：SF6,CF4,C3F8,H2,O2,Ar,N2
基板サイズ：～3inφ

アユミ工業　AB-40特注品
基板サイズ：3inφ
加熱温度500℃
温度均一性±10℃
到達真空度10-6Torr
位置合わせ機構

アネルバ　L-332S-FH
基板サイズ：～3inφ
ソース3基（強磁性体用２基他）
基板加熱：最高300℃

基板サイズ：～4inφ
加熱温度1100℃
ドライ・ウェット・パイロジェニック酸化

構造分析	X線回折(薄膜：逆格子マッピング、 XRR、粉末) 、EBSP(FE-SEM)、超音波顕微鏡
表面観察	FE-SEM、レーザー顕微鏡、SPM
表面分析	XPS, EPMA, SPM
光学評価	エリプソメータ、フォトルミネッセンス、ラマン分光、エネルギー分光（分光感度）、位相差
電気測定	ホール測定、半導体パラメータ測定（I-V,C-V等）
磁気測定	B-H測定、磁気抵抗、Kerr効果、薄膜磁歪
膜厚評価	触針式、光学干渉式、非接触式膜厚測定、エリプソメータ、レーザー顕微鏡

電子基板用インクジェットプリンター、ペースト精密塗布装置、金属ナノペースト接合装置超音波映像装置、Ｘ線マイクロフォーカス撮像装置、Ｘ線ＣＴ装置はんだ継手強度試験、ダイシェア試験、ワイヤーボンディング強度試験、パワーサイクル試験

バイオ・化学系	電気化学センサ（ドーパミン、ヒスタミン）、グルコース検出用マルチリアクター、μカラムチップ搭載ラクトースセンサ、マイクロ燃料電池等。
物理センサ系	マイクロ風洞型風速計、シリコン歪センサ、近赤外線IDシリコンセンサ、薄膜磁気センサ、導波路型光電界センサ、カルマン渦流量計用センサ、モスアイ無反射構造4H-SiC紫外線センサ等、白金薄膜温度センサ。
MEMS関係	シリコンオプティカルベンチ、シリコンブリッジ赤外線光源、ムービングマグネット式磁気駆動型光スキャナ、LIGA like プロセスによるNi電鋳、 PDMS・PMMA成形等
その他	Ni-W金型によるガラスのインプリント成形、ファジー推論を取り入れた色識別装置
各種薄膜作成	各種金属膜、a-Si:H, YBCO, BSCCO, TiN, DLC, グラフェン, ダイヤモンド, SiC, FeSi, SiO2, HfO, MgO, YSZ, Al2O3, Ta2O5, TiO, ZnO, ITO, PLZT, Ni-Fe,Ni-Fe-Mo-Mn, Co-Pt, Co-Fe等（膜形成法：真空蒸着、反応性イオンプレーティング、反応性スパッタリング、パルスレーザー蒸着、熱CVD等）